1N8177e3

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Valmistaja
Microchip Technology
Luokat
ESD Suppressors / TVS Diodes
Breakdown Voltage
114 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
168 V
Ipp - Peak Pulse Current
890 mA
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
A-Package-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Product Type
TVS Diodes
Termination Style
Axial
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
100 V

Uusimmat arvostelut

Hello! Order received, very happy. Thank you very much!

Thank You all fine, packed very well

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Works. Recommend

Seems well have not tested

Saatat pitää myös

1N8147
Microchip Technology
1N8147
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology

Ihmiset katsovat 1N8177e3 sitten ostivat

1N8147
Microchip Technology
1N8147
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology

Aiheeseen liittyvät avainsanat 1N81

  • 1N8177e3 Integroitu
  • 1N8177e3 RoHS
  • 1N8177e3 PDF-tietosivu
  • 1N8177e3 Datalehdet
  • 1N8177e3 Osa
  • 1N8177e3 Ostaa
  • 1N8177e3 Jakelija
  • 1N8177e3 PDF
  • 1N8177e3 Component
  • 1N8177e3 ICS
  • 1N8177e3 Lataa PDF
  • 1N8177e3 Lataa tiedot
  • 1N8177e3 Toimittaa
  • 1N8177e3 toimittaja
  • 1N8177e3 Hinta
  • 1N8177e3 Tietolomake
  • 1N8177e3 Kuva
  • 1N8177e3 Kuva
  • 1N8177e3 inventaario
  • 1N8177e3 kalusto
  • 1N8177e3 Alkuperäinen
  • 1N8177e3 halvin
  • 1N8177e3 Erinomainen
  • 1N8177e3 Lyijytön
  • 1N8177e3 määrittely
  • 1N8177e3 Kuumat tarjoukset
  • 1N8177e3 Break Hinta
  • 1N8177e3 Tekniset tiedot