NTJD5121NT2G

Kuvat ovat vain viitteellisiä
Osa numero
NTJD5121NT2G
Valmistaja
onsemi
Luokat
MOSFET
RoHS
Datalehdet
Kuvaus
MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

tekniset tiedot

Valmistaja
onsemi
Luokat
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
295 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
2 Channel
Package / Case
SOT-363-6
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
250 mW
Qg - Gate Charge
900 pC
Rds On - Drain-Source Resistance
1.6 Ohms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

Uusimmat arvostelut

all exactly and work. радиолюбителя useful set to, thank you)

Thank You all fine, packed very well

Shipped quickly, it was about 1 weeks in Krasnodar. Until the check operation, but to look at everything together

Goods came in two weeks. Well packed. Track number tracked

The goods are OK, thank you dealers.

Aiheeseen liittyvät avainsanat NTJD

  • NTJD5121NT2G Integroitu
  • NTJD5121NT2G RoHS
  • NTJD5121NT2G PDF-tietosivu
  • NTJD5121NT2G Datalehdet
  • NTJD5121NT2G Osa
  • NTJD5121NT2G Ostaa
  • NTJD5121NT2G Jakelija
  • NTJD5121NT2G PDF
  • NTJD5121NT2G Component
  • NTJD5121NT2G ICS
  • NTJD5121NT2G Lataa PDF
  • NTJD5121NT2G Lataa tiedot
  • NTJD5121NT2G Toimittaa
  • NTJD5121NT2G toimittaja
  • NTJD5121NT2G Hinta
  • NTJD5121NT2G Tietolomake
  • NTJD5121NT2G Kuva
  • NTJD5121NT2G Kuva
  • NTJD5121NT2G inventaario
  • NTJD5121NT2G kalusto
  • NTJD5121NT2G Alkuperäinen
  • NTJD5121NT2G halvin
  • NTJD5121NT2G Erinomainen
  • NTJD5121NT2G Lyijytön
  • NTJD5121NT2G määrittely
  • NTJD5121NT2G Kuumat tarjoukset
  • NTJD5121NT2G Break Hinta
  • NTJD5121NT2G Tekniset tiedot