1N6474USe3

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Valmistaja
Microchip Technology
Luokat
ESD Suppressors / TVS Diodes
Breakdown Voltage
33 V
Clamping Voltage
47.5 V
Ipp - Peak Pulse Current
181 A
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Packaging
Bulk
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Type
TVS Diodes
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
30.5 V

Uusimmat arvostelut

everything as it is written in the description of the same deductible prodovtsu deserved

Properly packed, not damaged. Works well, voltage levels are stable. Recommend.

Thank you! Received consistent. Long Service. Walking in Russia! Seller recommend!!!

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

fast delivery

Saatat pitää myös

1N645-1
Microchip Technology
1n645-1/tr
Microchip Technology
1N645-1e3
Microchip Technology
1N645-1e3/TR
Microchip Technology

Ihmiset katsovat 1N6474USe3 sitten ostivat

1N645-1
Microchip Technology
1n645-1/tr
Microchip Technology
1N645-1e3
Microchip Technology
1N645-1e3/TR
Microchip Technology

Aiheeseen liittyvät avainsanat 1N64

  • 1N6474USe3 Integroitu
  • 1N6474USe3 RoHS
  • 1N6474USe3 PDF-tietosivu
  • 1N6474USe3 Datalehdet
  • 1N6474USe3 Osa
  • 1N6474USe3 Ostaa
  • 1N6474USe3 Jakelija
  • 1N6474USe3 PDF
  • 1N6474USe3 Component
  • 1N6474USe3 ICS
  • 1N6474USe3 Lataa PDF
  • 1N6474USe3 Lataa tiedot
  • 1N6474USe3 Toimittaa
  • 1N6474USe3 toimittaja
  • 1N6474USe3 Hinta
  • 1N6474USe3 Tietolomake
  • 1N6474USe3 Kuva
  • 1N6474USe3 Kuva
  • 1N6474USe3 inventaario
  • 1N6474USe3 kalusto
  • 1N6474USe3 Alkuperäinen
  • 1N6474USe3 halvin
  • 1N6474USe3 Erinomainen
  • 1N6474USe3 Lyijytön
  • 1N6474USe3 määrittely
  • 1N6474USe3 Kuumat tarjoukset
  • 1N6474USe3 Break Hinta
  • 1N6474USe3 Tekniset tiedot