IGO60R070D1AUMA1

Kuvat ovat vain viitteellisiä
Osa numero
IGO60R070D1AUMA1
Valmistaja
Infineon Technologies
Luokat
MOSFET
RoHS
Datalehdet
Kuvaus
MOSFET GAN HV

tekniset tiedot

Valmistaja
Infineon Technologies
Luokat
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
31 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
DSO-20
Packaging
Cut Tape, Reel
Pd - Power Dissipation
125 W
Qg - Gate Charge
5.8 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
70 mOhms
Technology
GaN
Tradename
CoolGaN
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
900 mV

Uusimmat arvostelut

Takes 8 days to Japan. Good!

it is safe and sound all, thank you seller!

Perfectly.

High Quality driver, works excellent. It came to Moscow for 7 days.

Long Service and Russia!

Saatat pitää myös

Ihmiset katsovat IGO60R070D1AUMA1 sitten ostivat

Aiheeseen liittyvät avainsanat IGO6

  • IGO60R070D1AUMA1 Integroitu
  • IGO60R070D1AUMA1 RoHS
  • IGO60R070D1AUMA1 PDF-tietosivu
  • IGO60R070D1AUMA1 Datalehdet
  • IGO60R070D1AUMA1 Osa
  • IGO60R070D1AUMA1 Ostaa
  • IGO60R070D1AUMA1 Jakelija
  • IGO60R070D1AUMA1 PDF
  • IGO60R070D1AUMA1 Component
  • IGO60R070D1AUMA1 ICS
  • IGO60R070D1AUMA1 Lataa PDF
  • IGO60R070D1AUMA1 Lataa tiedot
  • IGO60R070D1AUMA1 Toimittaa
  • IGO60R070D1AUMA1 toimittaja
  • IGO60R070D1AUMA1 Hinta
  • IGO60R070D1AUMA1 Tietolomake
  • IGO60R070D1AUMA1 Kuva
  • IGO60R070D1AUMA1 Kuva
  • IGO60R070D1AUMA1 inventaario
  • IGO60R070D1AUMA1 kalusto
  • IGO60R070D1AUMA1 Alkuperäinen
  • IGO60R070D1AUMA1 halvin
  • IGO60R070D1AUMA1 Erinomainen
  • IGO60R070D1AUMA1 Lyijytön
  • IGO60R070D1AUMA1 määrittely
  • IGO60R070D1AUMA1 Kuumat tarjoukset
  • IGO60R070D1AUMA1 Break Hinta
  • IGO60R070D1AUMA1 Tekniset tiedot