VN0109N3-G

Kuvat ovat vain viitteellisiä
Osa numero
VN0109N3-G
Valmistaja
Microchip Technology
Luokat
MOSFET
RoHS
Datalehdet
Kuvaus
MOSFET MOSFET N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V

tekniset tiedot

Valmistaja
Microchip Technology
Luokat
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
1 W
Qg - Gate Charge
-
Rds On - Drain-Source Resistance
5 Ohms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
90 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
800 mV

Uusimmat arvostelut

Very good and reliable device, thank you, keep it rolling! Highly recommend to buy!

Thank You all fine, packed very well

Everything is excellent! recommend this seller!

The goods are OK, thank you dealers.

Order is very quickly, before Moscow flew for 12 days! Many thanks to the seller!

Ihmiset katsovat VN0109N3-G sitten ostivat

Aiheeseen liittyvät avainsanat VN01

  • VN0109N3-G Integroitu
  • VN0109N3-G RoHS
  • VN0109N3-G PDF-tietosivu
  • VN0109N3-G Datalehdet
  • VN0109N3-G Osa
  • VN0109N3-G Ostaa
  • VN0109N3-G Jakelija
  • VN0109N3-G PDF
  • VN0109N3-G Component
  • VN0109N3-G ICS
  • VN0109N3-G Lataa PDF
  • VN0109N3-G Lataa tiedot
  • VN0109N3-G Toimittaa
  • VN0109N3-G toimittaja
  • VN0109N3-G Hinta
  • VN0109N3-G Tietolomake
  • VN0109N3-G Kuva
  • VN0109N3-G Kuva
  • VN0109N3-G inventaario
  • VN0109N3-G kalusto
  • VN0109N3-G Alkuperäinen
  • VN0109N3-G halvin
  • VN0109N3-G Erinomainen
  • VN0109N3-G Lyijytön
  • VN0109N3-G määrittely
  • VN0109N3-G Kuumat tarjoukset
  • VN0109N3-G Break Hinta
  • VN0109N3-G Tekniset tiedot